PtSe₂薄膜

自旋霍尔角翻倍

通过硫族化学调控PtX₂薄膜中的电荷-自旋转换，PtSe₂的自旋霍尔角约为PtTe₂的两倍，为自旋电子器件提供更高效的自旋流注入。

Wang, Zhi · 张旗 · Xu, Bai · 左亚路 · 司明苏 · 席力 · 张俊丽

Nano Letters 2026

具体参数

有效自旋霍尔角

{'zh': '0.23', 'en': '0.23'}

技术优势

自旋霍尔角翻倍

PtSe₂/Py 的自旋霍尔角为 0.23，是 PtTe₂/Py（0.10）的两倍以上，能更高效地将电荷流转换为自旋流。

界面贡献增强

PtSe₂/Py 中更大的类阻尼矩源于近邻效应引起的界面贡献，而 PtTe₂/Py 主要表现为体自旋霍尔效应，说明界面工程能调控转矩机制。

应用场景

• 自旋轨道转矩器件：提供高效自旋流注入，降低器件功耗。
• 磁性随机存储器：增强写入效率，提升存储速度。
• 自旋逻辑：实现低能耗自旋逻辑运算。
• 自旋电子学：作为基础材料推动自旋电子学发展。