超晶格增敏FET通道
以超晶格结构的ReS2-MoS2纳米管作为FET沟道材料，实现miRNA检测灵敏度数量级提升。
邢佑强 · Subei, Wang · 吴泽 · 黄鹏 · 李冰珏 · Lei, Liu
Chemical Engineering Journal 2024
对miRNA-21的检测限低至2.1 aM，远超传统FET传感器，能够检测痕量癌症标志物。
检测线性范围从10 aM到1 nM，跨越5个数量级，适应不同浓度样本。
超晶格结构提供多个异质结界面，优化界面数为7时电子传输能力最佳。
在外部光源照射下，传感器表现出更优异的灵敏度，实现更好的检测性能。