表面缺陷态InTe微晶

功率因子增十倍

通过在InTe微晶表面构筑In+空位层引入类拓扑表面缺陷态，为载流子提供额外传输通道，使块体材料获得低维增强效应。

Feng, Jianghe · Qiyong, Chen · Bai, Xue · Wu, Xuefeng · Menghui, Zhou · Bin, Chen · 刘占锋 · 董洪亮 · Ying, Fang · Li, Juan · 席丽丽 · 杨炯 · 邵和助 · Erbiao, Min · Zeng, Xiaoliang · Jian-Bin, Xu · 张文清 · Rong, Sun · Liu, Ruiheng

Nano Energy 2026

具体参数

功率因子
{'zh': '10', 'en': '10'} times
无量纲热电优值
{'zh': '10', 'en': '10'} times

技术优势

迁移到块体可行

在微米级InTe微晶中实现了低维增强效应，比拓扑绝缘体的适用尺寸高一个数量级，避免了纳米材料集成难题。

功率因子提升十倍

表面缺陷态显著增大价带态密度，为载流子提供额外输运通道，使功率因子增大十倍。

应用场景