缺陷密度显著降低
室温氢处理通过钝化SiNx层及界面缺陷，使器件开关比和栅滞后特性同步改善。
Chen, Yiqiang · Fanfeng, Yang · 张亦驰 · Liu, Chang · 廖敏 · 曾斌建 · Ch., Li · Cai Z.Q.
Applied Physics Letters 2025
处理在室温下进行，无需高温退火，避免热预算和潜在损伤。
H 原子与缺陷形成 N-H 和 Si-H 键，钝化 SiNx 层及界面缺陷，降低内部缺陷密度。
与未经处理的器件相比，氢处理后器件的栅滞后特性得到改善，动态响应更稳定。