200V半桥单片GaN功率IC

高速无扰

采用简洁的高速电平转换方案，并集成抗扰度增强结构消除dV/dt噪声，不牺牲响应时间。

Yifei, Zheng · Boyu, Li · Qianheng, Dong · Yutao, Ying · Deyuan, Song · Zhu, Jing · Sun, Weifeng · Qinsong, Qian · Zhang, Long · Li, Sheng · Wang, Denggui · 周建军

IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems 2023

参数信息

额定电压

200 V

技术优势

弥补无 p 型器件短板

采用高效简洁的电平移位方案，减轻 GaN 工艺中缺少 p 型器件对速度的不利影响。

单片集成方案

将驱动电路与功率开关集成在同一芯片上，充分发挥 GaN 器件的高速能力。

应用场景

• 高速电源模块：高频模块中替代分立驱动电路，提高集成度并降低延迟。
• 通信电源：用于高频 DC-DC 变换器，提升效率与功率密度。
• 电机驱动：单片半桥 IC 简化电机驱动电路，减小体积与寄生参数。
• 激光雷达发射电路：高速开关驱动激光二极管，产生窄脉冲光。