ZrO₂–SiO₂弱碱性抛光液

粗糙度 0.059 nm

添加ZrO₂纳米颗粒替代部分SiO₂，在CMP中实现GaN晶面的近完美原子台阶结构，同时材料去除率提升显著。

Li, Qiubo · 刘磊 · 俞娇仙 · 王守志 · Wang, Guodong · Wang, Zhongxin · Zhanguo, Qi · Xuanyi, Zhao · Liu, Guangxia · 徐现刚 · 张磊

Applied Surface Science 2024

具体参数

材料去除率提升

{'zh': '47.5', 'en': '47.5'} %

技术优势

去除率大幅提升

添加0.5 wt% ZrO₂替代等量SiO₂时，材料去除率提升47.5%，但不破坏原子台阶-平台结构。

表面极致光滑

获得几乎完整的原子台阶-平台结构，表面粗糙度Ra低至0.059 nm。

应用场景

• GaN衬底加工：在GaN衬底最终抛光中实现原子级平坦表面。
• CMP抛光液：提供高去除率且不损伤原子台阶的弱碱性抛光液。
• micro-LED制造：为micro-LED的GaN层提供低损伤、超光滑表面。
• 功率半导体制造：满足功率器件GaN晶圆的精密抛光需求。