SiC MOSFET栅氧化层

精准定位退化位置

一项基于分裂C-V的方法，能区分沟道与JFET区上方的栅氧化层退化位置及陷阱类型，为芯片设计和应用提供可靠性评估手段。

Cai, Yumeng · Chen, Cong · 赵志斌 · 孙鹏 · 李学宝 · Manhong, Zhang · Wang, Hui · Chen, Zhong · Nee, Hans Peter

IEEE Transactions on Power Electronics 2023

技术优势

能定位退化位置

通过分裂C-V的不同部分可以判断退化发生在沟道上方还是JFET区上方。

能区分陷阱类型

PBTI中近价带受主陷阱导致沟道上方退化，NBTI中近导带施主陷阱导致JFET区上方退化。

自动测试系统

集成了I-V和split C-V测试的BTI自动化表征系统，提高测试效率。

应用场景

• SiC功率器件可靠性：定位退化位置和陷阱类型，指导芯片设计提升长期可靠性。
• 半导体测试：提供自动化BTI测试系统，整合I-V与split C-V测试。
• 栅氧化层失效分析：区分退化位置和陷阱类型，加速失效根因分析。