MoSe2/WSe2单层

载流摩擦机理明确

正电场下n型与p型二维TMD摩擦行为相反，为调控半导体纳米器件摩擦提供依据。

黄国威 · Wu, Wenchao · 王鹏 · Li, Hongli · 龚珍彬

ACS Applied Materials & Interfaces 2025

技术优势

摩擦可调

通过施加正电压即可分别增大MoSe2或减小WSe2的摩擦力，无需改变材料或环境。

机理明确

载流子的积累与耗散被证实是摩擦变化的主要因素，不同载流子类型导致摩擦规律差异。

器件级指导

为n型和p型二维半导体材料在摩擦领域的应用和调控提供了实验依据。

应用场景

• 纳米摩擦调控：用电压直接调控摩擦，无需更换润滑剂或改变接触条件。
• 二维半导体器件：指导n/p型器件的摩擦管理，提升寿命与可靠性。
• 柔性电子：为柔性接触界面的摩擦调控提供电场方法。