Cs₃Bi₂Br₉忆阻器

开关比10⁹

无铅全无机层状钙钛矿微片实现无forming偏压的阻变开关，多级存储潜力与20个月空气稳定性兼备。

An, Meiqi · Conghui, Tan · Wang, Hengshan · 李静 · Qiu, Jijun · 徐姣 · 杨一鸣

Applied Surface Science 2025

具体参数

开关比

{'zh': '10', 'en': '10'}

工作偏压

{'zh': '0.2', 'en': '0.2'} V

环境稳定性

{'zh': '20', 'en': '20'} months

技术优势

不会因热/光退化

全无机无铅组分不含有机阳离子，从根源上避免了热和光诱导的分解路径。

偏压低于0.2 V就能开关

器件无需forming步骤，在低于0.2 V的偏压下即可工作，适合低功耗电子应用。

开关比高达10⁹

超高的开关比源于微片层间电导被抑制，为单个存储单元内的多级数据存储提供了可能。

空气中能放20个月

忆阻器件在环境条件下展示出超过20个月的稳定性，无需封装即可长期存储。

应用场景

• 多级存储单元：用10⁹开关比在单个单元内实现多个阻态，提高存储密度。
• 低功耗电子突触：低于0.2 V的forming-free操作大幅降低突触器件的能耗。
• 柔性忆阻器阵列：全无机微片可通过旋涂/滴铸成膜，与柔性基底工艺兼容。
• 神经形态计算硬件：开关比大、状态稳定，适合构建高精度突触权重单元。