GaAs/AlGaAs量子阱超辐射发光二极管

宽带光谱 3 mm 腔长

基于能级发散概念优化量子阱厚度，实现输出功率25 mW下纹波系数≤5%、光谱带宽约15 nm的宽谱超辐射发光二极管。

Wu, Doudou · 任晓敏 · Li, Pan · Liu, Hao · 王琦 · 黄永清

Discover Nano 2025

具体参数

纹波系数

{'zh': '5', 'en': '5'} %

最佳阱厚

{'zh': '90', 'en': '90'} nm

光谱带宽

{'zh': '15', 'en': '15'} nm

仿真最佳阱厚

{'zh': '87', 'en': '87'} nm

仿真光谱带宽

{'zh': '14.8', 'en': '14.8'} nm

腔长

{'zh': '3', 'en': '3'} mm

有源区宽度

{'zh': '10', 'en': '10'} μm

技术优势

仿真与实验高度吻合

基于能级发散概念的模型预测的最佳阱厚87 nm、带宽14.8 nm，与实验的90 nm、15 nm非常接近，验证了理论模型的可靠性。

纹波系数可低至5%以下

对于腔长3 mm、有源区宽10 μm的器件，在25 mW输出下，通过优化阱厚（如90 nm）可将纹波系数控制在5%以内，满足高精度传感应用需求。

应用场景

• 超辐射发光二极管：用作宽谱光源，替代传统发光二极管以提高系统性能。
• 光学相干层析成像：提供高分辨率宽谱光源，提升成像质量。
• 光纤陀螺仪：降低光源纹波，提高旋转测量的稳定性。
• 生化传感器：宽谱输出覆盖多种吸收峰，增强多组分检测能力。
• 光谱测量：宽谱且纹波低，适合高精度光谱分析。