电压可调自旋轨道矩器件

低电压大调幅

在CMOS平台上以低工作电压对自旋轨道矩进行宽范围调节，可显着提升集成MRAM写入速度并降低电流阈值。

Lu, Qi · 刘福柱 · Peng, Bing · Liwen, Liang · 王智广 · 丁向东 · 宗洪祥 · 刘明

Advanced Materials 2025

技术优势

低压大调幅

通过CMOS集成实现大范围可调，同时保持低操作电压，避免使用高电压导致功耗和可靠性问题。

写入更快

集成MRAM器件采用混合架构，写入速度显着提升，电流阈值更低。

电流阈值降低

混合架构MRAM器件实现更低的电流阈值，有助于降低写入功耗。

应用场景

• 磁随机存储器(MRAM)：可集成于CMOS产线，低压大调幅提升写入速度。
• 自旋电子器件：电压控制自旋轨道矩为低功耗自旋器件提供新途径。
• 非易失性缓存：高速低功耗MRAM适合构建非易失性缓存。