原位清洗GaN再生长界面

刻蚀损伤有效去除

在MOCVD中直接引入TBCl原位清洗，可去除ICP刻蚀损伤，为纵向GaN功率器件提供可靠再生长界面。

Tengfei, Li · Haoran, Qie · Hongwei, Gao · Wenwen, Li · Zhong, Yaozong · Guo, Xiaolu · Chen, Xin · 张凤 · Yifan, Dong · Ge, Xinchen · Lin, Li · 孙钱 · 杨辉

Nano Energy 2026

技术优势

无需额外设备

清洗步骤在MOCVD原位进行，利用TBCl作为刻蚀损伤清除剂，不需要将样品移出腔体或增加其他设备。

能彻底消除损伤

在表面光滑、适合台阶流模式下，TBCl清洗能彻底消除ICP刻蚀损伤，而不是部分去除。

应用场景

• GaN功率器件：利用本技术可降低器件漏电、提高击穿电压，提升功率器件性能与可靠性。
• 半导体再生长工艺：该原位清洗可去除刻蚀损伤，为高质量再生长提供可靠界面。
• 功率电子：改善GaN器件的电学特性，有助于提升功率电子系统的效率和可靠性。
• 微纳制造：提供一种在MOCVD中直接修复刻蚀损伤的工艺，简化微纳制造流程。