柔性Bi2Te2.7Se0.3薄膜

近室温ZT 1.48

通过Bi-Te反位缺陷与晶态-非晶态杂化协同调控载流子浓度、迁移率和声子散射,实现柔性n型热电薄膜优异的近室温热电性能。

Bo-Cheng, Wang · Shi, Xiaolei · Hong, Min · Li, Nanhai · Lin, Tong · 李政 · 郑振荣 · 谭明 · Chen, Zhigang

Advanced Energy Materials 2026

参数信息

热电优值ZT
1.48
功率因子
35 µW cm⁻¹ K⁻²
器件功率密度
114 µW cm⁻²
归一化功率密度
4.58 µW cm⁻² K⁻²
人体佩戴输出电压
333 mV

技术优势

近室温ZT达1.48

通过反位缺陷与晶态-非晶态杂化协同调控,提高了霍尔迁移率并增强声子散射,从而同时提升电输运和降低热导率。

柔性下保持性能

优化的薄膜在机械变形下仍保持优异的热电性能,满足可穿戴设备对柔性的要求。

柔性器件输出高

由162对薄膜组装的柔性热电器件在5 K温差下功率密度达114 µW cm⁻²,贴于人体可产生333 mV电压,足以驱动常见可穿戴电子设备。

应用场景