Zn掺杂CaMgP₂O₇微波介质陶瓷

低温烧结高Q值

通过Zn²⁺取代Mg²⁺，在875℃低温烧结即可获得致密结构，同时大幅提升品质因数，为高性能微波介质器件提供新选择。

Huang, Fangyi · 苏桦 · 张琴 · 李元勋 · Lu, Qihai · 唐晓莉

Journal of the European Ceramic Society 2023

具体参数

相对介电常数

8.05

品质因数

20,670 GHz

谐振频率温度系数

−87.59 ppm/℃

烧结温度

875 ℃

技术优势

烧结温度降低75℃

Zn²⁺取代Mg²⁺促进致密化，使最佳烧结温度从950℃降至875℃，有利于与低成本电极共烧。

Q×f提升约57%

Zn掺杂后Q×f从13,165 GHz提升至20,670 GHz，显著降低微波器件的介电损耗。

应用场景

• 5G通信器件：低损耗介质材料可减少信号衰减，满足5G高频通信对高Q值的要求。
• 微波器件：高Q×f和适中εr使谐振器、滤波器等器件尺寸紧凑且插入损耗低。
• 低温共烧陶瓷：875℃烧结温度可与银电极共烧，直接集成进多层陶瓷模块。