高透明低接触电阻
通过调控氧空位实现高载流子浓度和低近红外吸收，适配钙钛矿/硅叠层电池的p型透明导电互连。
Yuhao, Yin · Shitao, Dong · Yu, Zhu · 崔义 · 宋贺伦 · Xu, Menglei · Yang, Jie · Xinyu, Zhang · Fan, Shizhao
Surfaces and Interfaces 2026
20 nm厚的NiO薄膜在800 nm处吸收小于3%，减少了对硅底电池的近红外光遮挡，利于提高叠层电池电流。
通过调控Ni空位和Ni3+/Ni2+比例，实现1.68×10^18 cm^-3的空穴浓度，保证p型层足够的电导率。
通过亚单层Au引入缺陷辅助隧穿，p+-NiO/n+-Si异质结的比接触电阻降至0.93 Ω·cm^2，显著降低界面损耗。
将该隧穿二极管与TOPCon硅电池集成时填充因子损失可忽略，证明其在高效叠层电池中的可行性。