低温合成四方1T-PtSe2晶体

CMOS兼容工艺

首次在400–550°C低温下实现四方形态1T-PtSe2晶体，突破传统合成在形态控制与热预算上的限制，可作为超低电阻范德华接触电极。

刘冰 · Lin, Yan · Chaohui, Liu · Jing, Ma · Qingqing, Li · Ling, Huang · Siguang, Ma

Applied Surface Science 2026

具体参数

晶体尺寸

5 μm

技术优势

四方形态为首次实现

生长温度400–550°C，兼容CMOS后端工艺

场效应晶体管呈现半金属行为