g-ZnO/HfGe₂N₄异质结

光催化与光电探测双功能

该半导体异质结兼具高太阳制氢效率与显著光电响应,为多功能光电器件提供新平台。

Shen, Yang · Xiaoyu, Zhao · 崔真 · Ke, Qin · Ma, Deming · Cheng, Fengjiao · Yuan, Pei · Xiangfeng, Qi · 李恩玲

Solar Energy 2025

具体参数

直接带隙
{'zh': '0.72', 'en': '0.72'} eV
太阳能制氢效率
{'zh': '50.84', 'en': '50.84'} %
消光比
{'zh': '163.7', 'en': '163.7'}

技术优势

可见光区吸光强

异质结在可见光区域具有高吸收系数,突破单组分材料在可见光波段吸收弱的瓶颈。

制氢效率极高

太阳能制氢效率高达50.84%,远超同类材料,且可通过双轴应变进一步调控。

高消光比

zigzag方向消光比达163.7,作为光电探测器可实现高信噪比探测。

应用场景