B掺杂SiGe合金

高温强热电

通过B掺杂调控载流子浓度，在高温下同时优化电导率和Seebeck系数，显著提升功率因子和ZT值。

Danyang, Jing · Jie, Li · Zhanqi, Cheng · Kuang, Jing · 段兴凯

Gongneng Cailiao/Journal of Functional Materials 2024

具体参数

ZT值
{'zh': '0.4', 'en': '0.4'}
功率因子
{'zh': '1.72', 'en': '1.72'} 10⁻³ W·m⁻¹·K⁻²

技术优势

ZT值提升1.5倍

在900 K时，B掺杂含量0.04的样品ZT值达0.4，约为B掺杂含量0.01样品的1.5倍，表明优化掺杂浓度可显著提高热电优值。

功率因子高

在750 K时，B含量0.04的样品功率因子达到1.72×10⁻³ W·m⁻¹·K⁻²，为所有样品中的最大值。

高温p型稳定

在300–950 K范围内Seebeck系数均为正值，表现为p型半导体特性。

应用场景