BYF共掺杂PZT陶瓷

高压电与宽温区兼得

通过两相共存与局域异质结构,同时实现高压电系数与高居里温度,打破传统压电陶瓷中两者难以兼顾的限制。

Huang, Yunyao · Zhang, Leiyang · Jing, Ruiyi · Tang, Mingyang · Alikin, Denis O. · Shur, V. Y. · 魏晓勇 · 靳立

Chemical Engineering Journal 2023

参数信息

压电系数 d₃₃
467 pC N⁻¹
居里温度 T_C
381 °C
机电耦合系数 kp
68 %
矫顽场 E_c
12 kV cm⁻¹
原位 d₃₃
790 pC N⁻¹

技术优势

压电系数高

0.01BYF(0.6)-PZT 组分的室温 d₃₃ 达到 467 pC N⁻¹,得益于菱方与四方相共存及局域异质结构增强的协同效应。

耐高温

居里温度高达 381 °C,使该陶瓷可在远高于常规 PZT 的温度下仍保持压电性。

宽温区稳定

在 30–350 °C 范围内原位 d₃₃ 高达 790 pC N⁻¹,展现优异的温度稳定性。

机电耦合强

机电耦合系数 kp 达 68%,意味着电能与机械能转换效率高。

应用场景