间隙铜掺杂GeTe热电材料

高热电优值

通过间隙铜掺杂实现载流子迁移率与晶格热导率的解耦,同时获得高功率因子和超低热导率。

Yin, Liangcao · Liu W.-D. · Li, Meng · Wang, Dezhuang · Wu, Hao · 王一峰 · Lixiong, Zhang · Shi, Xiaolei · 刘庆丰 · Chen, Zhigang

Advanced Functional Materials 2023

具体参数

热电优值
≈2.3
晶格热导率
0.48 Wm⁻¹K⁻¹
载流子迁移率
80 cm²V⁻¹s⁻¹
最大转换效率
≈10 %

技术优势

迁移率不降反升

间隙Cu减弱载流子散射,使载流子迁移率在300 K高达80 cm² V⁻¹ s⁻¹,避免了传统掺杂策略导致的迁移率恶化。

热导率大幅压低

间隙Cu增强声子散射,使晶格热导率在623 K低至0.48 W m⁻¹ K⁻¹,接近非晶态极限。

ZT值达2.3

得益于迁移率与热导率的协同优化,Ge0.93Ti0.01Bi0.06Te-0.01Cu在623 K获得约2.3的热电优值,并对应约10%的最大转换效率(ΔT=423 K)。

首次揭示间隙Cu作用

该工作首次系统研究了GeTe中间隙Cu的掺杂行为,证明局域间隙Cu是一种提升GeTe基热电材料性能的新策略。

应用场景