高直流偏置低损耗
通过APTES表面改性和TEOS水解形成完整致密的SiO₂绝缘层，在保证包覆质量的同时减少非磁性相带来的磁滞损耗，从而获得低损耗、高直流偏置性能且温度稳定性优异的软磁粉芯。
Jiaxin, Gao · Zhuo, Zhu · Qi, Li · 聂彦 · 王鲜
Ceramics International 2026
APTES改性后TEOS水解缩合形成的SiO₂层完整致密，可有效抑制涡流，降低高频损耗。
APTES表面改性减少了非磁性相包覆对磁滞损耗的影响，使粉芯在低损耗的同时保持高磁导率可控性。
在100 kHz/100 Oe条件下保持70.7%的磁导率，适用于大电流工况。
在−20°C至140°C范围内磁导率温度系数仅30 ppm/°C，适合恶劣环境。