抑制过充电相变,稳定性提升9.5倍
通过异质界面电子转移有效锁定高活性β相,避免高电流密度下向低活性γ-Ni(Fe)OOH的有害相变。
Ximin, Li · Ruan, Min · Shen, Yue · 闻明 · Li, Zhiwen · Yin, Hongxia · Chen, Feng · 雷鹏翔 · 钱立华
ACS Applied Materials & Interfaces 2025
异质界面通过界面电子转移抑制了β-Ni(Fe)OOH向γ-Ni(Fe)OOH的过充电,使高电流密度下的衰减率降低一个数量级。
在阴离子交换膜电解池中仅需1.81 V即可达到1 A cm⁻²的工业级电流密度,展现出优异的活性。