晶圆级MoSe₂人工突触

开关比达10⁷

空位驱动的电阻开关机制，同时实现高开关比与多种突触可塑性模拟，为二维材料神经形态器件提供统一机理。

JiXiang, Zhong · Lin, Xin · Han, Sun · Wang, Fang · Kai, Liu · Wei, Junqing · Zewen, Li · Yujing, Ji · Peng, Liu · 刘卫丽 · 张楷亮

Applied Surface Science 2024

参数信息

开关比高达 3.6 × 10⁷，可提升神经形态计算中的信号区分度。

采用 ALD-CVD 工艺实现了 23 × 23 × 4 的突触阵列，满足复杂神经网络集成需求。

结合 HRTEM 和第一性原理计算揭示了 Se 空位诱导与水平扩散机理，为器件优化提供指导。