缺陷富集铂铜纳米框架

10 mV过电位

十面体、孪晶界、位错与原子台阶协同富集，活性位点充分暴露，同时优化氢吸附与脱附动力学。

Xueying, Cao · Le, Fuhe · 胡鹏飞 · Xue, Yang · 贾殿赠 · 孙文明 · Jia, Wei

Journal of Materials Chemistry A 2026

具体参数

过电位

10 mA cm⁻²

mV Pt C

9.0 倍

mV Pt C

17.1 倍

技术优势

0.5 M H₂SO₄中稳定超过500 h