锰掺杂X8R钛酸钡陶瓷

满足EIA X8R标准

通过锰离子掺杂形成缺陷偶极子，在还原气氛烧结下同时实现高介电常数和宽温稳定性。

Xue, Keying · Xie, Jialing · Wang, Menglong · 李玲霞

Ceramics International 2023

具体参数

介电常数

{'zh': '3644', 'en': '3644'}

绝缘电阻率

{'zh': '2.07', 'en': '2.07'} 10^11 Ω cm

介电损耗

{'zh': '0.011', 'en': '0.011'}

温度稳定性

{'zh': '≤ ±15%', 'en': '≤ ±15%'}

技术优势

能配合贱金属电极

材料在还原气氛下烧结仍保持高绝缘电阻（2.07×10¹¹ Ω·cm）和低损耗（0.011），可直接用于Ni/Cu内电极MLCC，无需复杂的气氛控制。

兼顾高介电与宽温

室温介电常数达3644，且在−55 °C到150 °C范围内电容变化不超过±15%，满足X8R标准，解决了高介电材料温度稳定性差的痛点。

损耗控制得很低

介电损耗仅为0.011，有利于降低MLCC在高频下的发热，提升器件可靠性。

应用场景

• MLCC电容器：还原气氛烧结下仍保持高绝缘电阻，可直接与Ni/Cu内电极共烧，用于高容值、宽温稳定的片式电容。
• 高温储能器件：在150 °C仍保持电容稳定，可用于高温环境下的储能和滤波，减少冷却需求。
• 介电可调器件：高介电常数和可控的缺陷偶极子提供电场可调性，可用于可调滤波器、移相器等器件。