介电常数超高
通过近边缘等离子体处理与特定相变，无需高场循环即可获得超高介电常数，适用于高密度电荷存储与超缩微逻辑/存储器件。
狄文 · 李冰 · Wei-wei, Wang · 王亚 · 成岩 · 江安全
Nano-Micro Letters 2025
在双极高电场循环接近击穿时，经过氧空位有序化和铁电-非铁电相变，介电常数突然增加30倍。
在电容器直径缩小至3.85 μm时，无需高电场循环，铁电性突然消失，介电常数高达1466。
在1.2 V/50 ns的电压/时间条件下，循环次数超过10¹²次仍未发生介电击穿，存储电荷密度高达183 μC cm⁻²。