Cu填充SnSe晶体

300K热电优值1.5

通过晶格纯化策略填充锡空位,削弱缺陷散射,提升载流子迁移率,使SnSe晶体同时实现高效发电与制冷。

王东洋 · 洪韬 · Wang, Ziyuan · Wang, Yuping · 秦永新 · Su, Lizhong · Yang, Tianyu · 高翔 · 葛振华 · 秦炳超 · 赵立东

Science 2023

具体参数

功率因子
100 μW cm⁻¹ K⁻²
热电优值ZT
1.5
平均热电优值
2.2
单臂发电效率
12.2 %
最大制冷温差
61.2 K

技术优势

迁移率更高

Cu填充Sn空位削弱缺陷散射,使载流子迁移率提升,从而显著提高功率因子。

发电效率高

单臂器件在约300 K温差下实现约12.2%的发电效率,展示了实用化潜力。

制冷温差大

七对Peltier制冷器件在室温下实现约61.2 K的最大温差,可用于固态冷却。

应用场景