共掺杂BiVO4膜

超高光电流

受主-施主共掺杂在单层BiVO4薄膜中实现超大光电流，为单层膜光电转换效率提升提供新途径。

石磊 · Wenyue, Zhao · Wang, Zhao · Hua, Wenjing · Xiaoxia, Yang · Xinyu, Cao · 费维栋 · 赵瑜

Journal of Power Sources 2024

具体参数

光电流密度

4.05 mA/cm²

探测率

8.4 × 10¹¹ Jones

探测率

5.4 × 10¹¹ Jones

光电转换效率

2.4 %

技术优势

光电流提升一个量级

共掺杂引入不均匀组分，增强内建电场，促进载流子分离，光电流密度达 4.05 mA/cm²。

顶电极挡不住光电流

金顶电极结构下效率仍有 2.4%，说明光从侧面照入即可，器件集成更灵活。

应用场景

• 光电器件：共掺杂薄膜可直接作为光吸收层，提高单层器件的光电转换效率。
• 光电探测：高探测率（8.4×10¹¹ Jones）使其适合制造高灵敏光电探测器。
• 光电化学电池：高光电流密度有助于光电化学电池中提高水分解或光充电效率。
• 可见光催化：较强可见光吸收和载流子分离能力可提升可见光催化反应速率。