AgInS₂发光半导体

窄线宽可调发光

四方相AgInS₂通过硫位高浓度掺杂，实现红光至近红外一区连续可调、线宽低于20 nm的窄带发射。

Chen, Yuan · 陈高远 · Guijia, Hu · Hongcao, Shi · 杨鑫 · Abudurusuli, Ailijiang · Sun, Qi · Su, Chunjian

CrystEngComm 2025

参数信息

发射波长

600–960 nm

发射线宽

<20 nm

四方相晶格畸变容限

−2.9–7.16 %

正交相晶格畸变容限

−2.4–8.25 %

技术优势

发射波长宽范围连续可调

通过硫位高浓度掺杂，发射波长从600 nm连续调至960 nm，覆盖红光至近红外一区，可满足不同应用对波长的精确需求。

线宽窄于20 nm

在可调范围内所有波长处线宽均低于20 nm，有利于提高光谱分辨率和色纯度。

四方相可容纳高浓度掺杂

四方相晶格畸变容限达−2.9%~7.16%，可作为高浓度硫位取代的稳定基质，维持结构完整。

应用场景

• 近红外发光二极管：提供线宽<20 nm的近红外发射，提高LED光谱纯度和器件效率。
• 生物成像探针：在近红外一区发光，组织穿透深、自体荧光低，适合活体成像探针。
• 近红外荧光标记：窄发射线宽有利于多色标记，避免光谱串扰。
• 可穿戴光学传感：近红外光可穿透皮肤，用于可穿戴设备中的光学传感信号。