真空退火TexSe1-x薄膜

高结晶自供电探测

真空退火抑制氧化，薄膜高度择优取向，用于自供电红外探测，室温暗电流低至4.72×10⁻⁴ mA cm⁻²，开关比2×10³。

Xiyao, Song · Jiaming, Liu · Jingxiang, Wu · Shaoyao, Liu · 汪运鹏 · Yi, Fan · 75745869 · Cheng, Ming · 王菲

Materials Science in Semiconductor Processing 2026

具体参数

暗电流密度

{'zh': '4.72 × 10⁻⁴', 'en': '4.72 × 10⁻⁴'} mA cm⁻²

开关比

{'zh': '2 × 10³', 'en': '2 × 10³'}

技术优势

薄膜更结晶

原位真空退火有效阻止氧和水分掺入，显著提升Te₀.₇Se₀.₃薄膜结晶质量，促进择优取向生长。

探测更灵敏

高结晶质量和原始界面使器件在980 nm光照下暗电流密度低至4.72 × 10⁻⁴ mA cm⁻²，开关比达2 × 10³。

无需外部电源

器件采用ITO/ZnO/Te₀.₇Se₀.₃/Au异质结结构，可实现自供电工作，简化系统集成。

应用场景

• 红外探测器：用于近红外光探测，替代传统多晶薄膜器件。
• 机器视觉：高信噪比成像，提升弱光识别能力。
• CMOS兼容传感：与CMOS工艺兼容，便于片上集成。