Si-HfO2结合层

1300°C抗氧化百小时

以HfSiO4抑制SiO2热应力, 结合层在1300°C下稳定生长氧化层, 避免开裂剥落。

Shuang, Yu · Wang, Yaming · 王树奇 · Qiang, Zhao · Yang, Li · Dawei, Ren · 陈国良 · 邹永纯 · Ouyang, Jiahu · 贾德昌 · Zhou, Yun

Corrosion Science 2023

参数信息

热生长氧化层厚度

3.08 ± 0.36 µm

技术优势

抑制热应力尖峰

HfSiO4消耗SiO2，减少由氧化物体积膨胀和相变引起的热应力，使涂层在1300 ℃下100 h无开裂剥落。

氧化皮更薄更致密

氧化100 h后热生长氧化层厚度仅3.08 ± 0.36 µm，远低于纯Si结合层，表明氧化速率被有效抑制。

应用场景

• 航空发动机热端部件：作为高温结合层，防止热障涂层剥落，延长涡轮叶片寿命。
• 热障涂层：替代纯Si结合层，抑制氧化皮生长和应力开裂，提高TBC体系可靠性。
• 高温合金防护：在1300 ℃下形成稳定氧化皮，隔离氧化性气氛，保护高温合金基体。
• 耐高温传感器：提供耐高温、抗氧化的防护层，保障传感器在极端环境中工作。