背栅调谐击穿电压
在1550 nm处实现超高响应度，且击穿电压可通过背栅调控，兼容CMOS工艺。
Youyuan, Yao · Lei, Zhang · Jianghua, Yu · Jingnan, Gao · Chao, Huang · 刘洋 · 马瑞 · 张宁宁 · 胡辉勇 · 王黎明 · 朱樟明
IEEE Sensors Journal 2024
施加-50 V背栅电压即可将击穿电压从31 V降至24 V，无需重新设计器件结构。
在1550 nm处实现286.8 A/W的响应度，满足长距离探测需求。
SOI基器件可利用标准CMOS工艺制造，便于单片集成。