VO₂忆阻器

均匀性0.26%

基于Cr₂O₃缓冲层与低温工艺的免成型VO₂忆阻器，循环间差异仅0.26%，耐久性超10¹²次，可用于构建高精度可校准振荡神经元。

Zhiyuan, Li · Jie, Gong · Wei, Tang · Beining, Zhang · Weihao, Niu · Zhengzhe, Zhang · Zhiyuan, Liu · 缪向水 · 杨蕊

IEEE Electron Device Letters 2026

具体参数

variation

0.26 %

技术优势

耐久性>10¹²次循环

沉积温度280 °C

基于该器件的图像分类识别精度高