单晶外延AlScN薄膜

压电系数五倍

单晶外延结构结合其固有的与硅工艺兼容性，可同时提升压电性能与铁电性，为高频射频滤波器及三维非易失存储器提供优于多晶薄膜的泄漏电流控制。

Yang, Zeng · Cheng, Mingqiang · Wang, Xuyang · Liu, Zhenghao · Ming, Wenjie · Li, Chao · 谢淑红 · Li, Jiangyu · Li, Changjian

Small Methods 2024

具体参数

压电系数为未掺杂薄膜

{'zh': '5', 'en': ''} 倍

氧污染

{'zh': '≤0.1', 'en': '≤0.1'} at%

技术优势

通过原子尺度显微成像估算极化强度为140 µC cm⁻²

扫描探针验证极化可切换