银掺杂CZTSSe吸收层

背界面协同提效

银掺杂与V掺杂背接触协同建立背表面钝化场，抑制载流子复合，效率增益超过两者单独作用之和。

Wang, Chunkai · Liu, Yue · Ding, Ma · 丁战辉 · Zhu, Yan · Sun, Yuting · Sun, Xiaofei · Liyuan, Shi · Ding, Ning · 李永峰 · 姚斌

ACS Applied Materials & Interfaces 2024

具体参数

转换效率

{'zh': '10.98', 'en': '10.98'} %

效率增益（协同）

{'zh': '2.37', 'en': '2.37'} %

技术优势

协同增效

Ag掺杂与背接触改性同时实施时，效率提升2.37%，大于单独Ag掺杂（+1.05%）与单独背接触改性（+1.02%）之和，证明两者并非简单叠加。

背场降复合

V掺杂MoSe2形成p+型背表面钝化场，使吸收层底部能带向上弯曲，将空穴反射回吸收层，抑制背界面载流子复合。

能带更匹配

Ag掺杂降低吸收层的功函数与价带顶，V掺杂提高MoSe2:V的功函数，二者共同增大界面功函数差并降低背接触势垒高度，促进空穴传输。

应用场景

• 薄膜太阳能电池：提供无需抗反射涂层即可达10.98%的CZTSSe电池，降低成本并简化工艺。
• 叠层电池底电池：作为底电池可提供较高电压和低带隙吸收层，适合与宽带隙顶电池串联。
• 柔性光伏器件：背接触改性工艺与柔性金属箔基底兼容，可制备可弯曲的CZTSSe电池。
• 界面钝化材料：V掺杂MoSe2形成p+型界面层并建立背表面场，是有效的背界面钝化方案。