SiCf/SiC复合材料

低缺陷高致密

基于XCT原位监测揭示PCS和VCS两种前驱体截然不同的孔隙填充机制,为制备低缺陷高致密度陶瓷基复合材料提供指导。

张进 · Geng, Wang · 刘荣军 · Jinping, Du · Chen, Xiangjian · Li, Duan · 王衍飞

Composites Part A: Applied Science and Manufacturing 2026

技术优势

降低缺陷密度

理解不同前驱体的填充机制有助于避免形成不期望的孔隙,从而制备低缺陷陶瓷基复合材料。

提高致密度

通过选择合适的填充行为可以优化致密化过程,获得更高密度的复合材料。

指导工艺优化

首个PIP循环起决定性作用,提示在工艺中控制早期循环的重要性。

应用场景