Ni掺杂SnS₂少层

光电探测响应度达3350 A/W

通过镍掺杂和同质结构设计，同时扩展了检测波段并显著抑制了暗电流，实现了灵敏度和速度的双重突破

Mingchen, Xu · Xinfa, Zhu · Gaoning, Fan · Xiyu, Jia · 张勇辉 · 王蒙军 · 郑宏兴 · 周鹏宇 · 范超

ACS Applied Materials & Interfaces 2025

具体参数

响应度

{'zh': '3350', 'en': '3350'} A W⁻¹

暗电流

{'zh': '110', 'en': '110'} nA

响应时间

{'zh': '3.5', 'en': '3.5'} ms

带隙（掺杂后）

{'zh': '1.95', 'en': '1.95'} eV

技术优势

光谱范围更宽

镍掺杂将带隙从2.14 eV缩小到1.95 eV，探测器可响应更宽波长。

暗电流骤降

同质结内建电场将暗电流切至110 nA，噪声大幅削减。

速度够快

响应时间缩短至3.5 ms，超越多数二维材料和商业探测器。

应用场景

• 高性能光电探测器：利用高响应度和低暗电流探测微弱可见光信号。
• 柔性可见光传感器：少层结构可集成在柔性基底上，用于可穿戴设备。
• 可见光通信系统：快速响应特性适用于高速光通信接收端。
• 成像系统：宽带响应和低噪声可提高可见光成像质量。