Ni掺杂SnS₂少层

光电探测响应度达3350 A/W

通过镍掺杂和同质结构设计,同时扩展了检测波段并显著抑制了暗电流,实现了灵敏度和速度的双重突破

Mingchen, Xu · Xinfa, Zhu · Gaoning, Fan · Xiyu, Jia · 张勇辉 · 王蒙军 · 郑宏兴 · 周鹏宇 · 范超

ACS Applied Materials & Interfaces 2025

参数信息

响应度
3350 A W⁻¹
暗电流
110 nA
响应时间
3.5 ms
带隙(掺杂后)
1.95 eV

技术优势

光谱范围更宽

镍掺杂将带隙从2.14 eV缩小到1.95 eV,探测器可响应更宽波长。

暗电流骤降

同质结内建电场将暗电流切至110 nA,噪声大幅削减。

速度够快

响应时间缩短至3.5 ms,超越多数二维材料和商业探测器。

应用场景