分子印迹传感器

超灵敏检测莫西沙星

该传感器采用独特的金纳米粒子/PEDOT复合结构,提供了大量印迹识别位点,实现了对莫西沙星的高选择性和高灵敏度检测。

Yaolong, Zhang · Zhang, Yu · Jamal, Ruxangul · Abdiryim, Tursun

Chemical Engineering Journal 2024

具体参数

检测限
{'zh': '1.109', 'en': '1.109'} nM
线性范围下限
{'zh': '0.004', 'en': '0.004'} μM
线性范围上限
{'zh': '20', 'en': '20'} μM

技术优势

超高灵敏度检测限

金纳米粒子与PEDOT的蠕虫状复合材料提供了极大的比表面积,结合分子印迹技术增加了大量识别位点,从而将检测限压低至1.109 nM。

宽线性范围

传感器在0.004–20 μM浓度范围内呈现线性响应,跨越四个数量级,适用于不同浓度水平的莫西沙星检测。

实际样品中回收良好

在真实样品检测中展现出良好的回收率,表明该传感器可抵抗基质干扰,具有实际应用的潜力。

应用场景