GaN-SBD微波限幅器

39 ns 快恢复

用GaN肖特基二极管替代传统PIN二极管，消除少数载流子寿命限制，使限幅器在承受高功率后仍能极快恢复。

Zhao, Rikang · 康玄武 · 郑英奎 · Wu, Hao · 高建军 · 魏珂 · 刘新宇

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 2024

参数信息

开启电压

0.64 V

连续波耐功率

50 W

脉冲耐功率

140 W

插入损耗

1 dB

恢复时间

39 ns

技术优势

无需考虑少子寿命

肖特基二极管是多数载流子器件，设计时无需引入少数载流子寿命这一参数，因此设计过程更简单，恢复速度更快。

开启电压仅0.64 V

采用薄AlGaN势垒外延结构和无凹槽工艺，肖特基结开启电压低至0.64 V，使限幅器阈值设计具有很大的自由度。

恢复时间39 ns

限幅器在承受高功率后能在39 ns内恢复到低损耗状态，这对于保护接收机免受连续脉冲的伤害至关重要。

应用场景

• 毫米波通信：保护毫米波接收机免受高功率干扰，恢复时间短可应对连续脉冲。
• 航空电子：航空电子设备对可靠性要求高，GaN限幅器耐功率强且恢复快。
• 大功率射频系统：直接用于大功率射频前端，承受超过50 W连续波和140 W脉冲。
• 功率半导体应用：GaN肖特基二极管工艺成熟，适合功率半导体集成和批量生产。