LCO/STO超晶格忆阻突触器件

存储与神经形态一体

在同一个Pt/(LCO/STO)5/LCO/NSTO器件中同时实现高ROFF/RON比、显著TMR和多级存储能力，无需在忆阻与磁阻性能间折衷。

Yang, Zeou · 黄小忠 · 刘昱 · Wang, Ze · Zhang, Zhengwei · Ma, Bingyang · Shang, Hailong · Wang, Lanzhi · 朱涛 · 段曦东 · 胡海龙 · 岳建岭

Small Methods 2024

具体参数

比值较单周期异质结构均提升

约1000 %

手写数字识别准确率最高

94.38 %

技术优势

循环寿命延长

保持特性可靠