Ge₂Se₃纳米粒子选择器

超低漏电高选择比

以热稳定非晶Ge₂Se₃纳米粒子组装纳米层，突破传统OTS选择器漏电流与阈值电压难以兼得的瓶颈。

陈献 · 刘金龙 · Xiaojuan, Jiang · He, Junjie · Xiaotian, Zhu · 丁科元 · 黄传威 · 田禾 · 饶峰

Advanced Materials 2026

具体参数

阈值电压

约2.4 V

技术优势

漏电流低至pA量级

选择比高达约10⁸

阈值电压可靠性优异