近熔点退火CuI薄膜

致密连续、紫外响应

通过近熔点退火解决了CuI薄膜的多孔和不连续问题,获得致密薄膜,可直接用于高性能紫外光电探测器。

Peijie, Qian · 吕燕飞 · 席俊华 · Yujia, Lin · Li, Fu · 赵士超

Materials Letters 2026

参数信息

开关比
11
上升时间
156 ms
下降时间
21 ms
响应度
185 mA/W
探测率
1.12e11 Jones

技术优势

薄膜致密连续

近熔点退火消除孔隙,获得致密连续的 CuI 薄膜,有利于载流子传输和器件性能。

响应速度快

器件上升/下降时间仅 156/21 ms,适用于快速检测。

工艺简单

仅需铜基底碘化和退火,无需复杂设备。

应用场景