近熔点退火CuI薄膜

致密连续、紫外响应

通过近熔点退火解决了CuI薄膜的多孔和不连续问题，获得致密薄膜，可直接用于高性能紫外光电探测器。

Peijie, Qian · 吕燕飞 · 席俊华 · Yujia, Lin · Li, Fu · 赵士超

Materials Letters 2026

具体参数

开关比

{'zh': '11', 'en': '11'}

上升时间

{'zh': '156', 'en': '156'} ms

下降时间

{'zh': '21', 'en': '21'} ms

响应度

{'zh': '185', 'en': '185'} mA/W

探测率

{'zh': '1.12e11', 'en': '1.12e11'} Jones

技术优势

薄膜致密连续

近熔点退火消除孔隙，获得致密连续的 CuI 薄膜，有利于载流子传输和器件性能。

响应速度快

器件上升/下降时间仅 156/21 ms，适用于快速检测。

工艺简单

仅需铜基底碘化和退火，无需复杂设备。

应用场景

• 紫外光电探测器：直接用作紫外探测器的活性层，替代传统材料。
• 柔性光电器件：致密薄膜可集成到柔性基底上，拓展可穿戴紫外监测。
• 生化传感：快速响应特性可用于生化样品中紫外相关信号的实时检测。
• 精密测量：高探测率支持微弱紫外光的精确计量。