手性拓扑纳米结构

近理论极限发光不对称

利用全局非手性材料的局部手性拓扑纳米结构，实现了由线偏振光激发的高椭圆度、高强度手性发光，为手性光子学提供新平台。

Yawei, Wu · Wang, Zhenyu · Wu, Zihan · Xu, Jiahui · 和树庆 · Ruize, Wang · Mingsheng, Gao · Zhang, Qing · Wang, Chaowei · Ni, Jincheng · Li, Zhipeng · Wu, Yiming · 褚家如 · Wu D. · Liu, Xiaogang · Chen, Yang

Nature Communications 2026

参数信息

发光不对称因子

1.65

发光不对称因子

-1.58

技术优势

接近理论极限

发光不对称因子可在1.65到-1.58之间调节，接近理论最大值，表明手性调控能力极强。

适用多种发光体

该方法可用于纳米颗粒和染料，并可推广到其他发光体，材料选择范围广。

线偏振光激发

使用线偏振光即可产生强手性场，无需复杂的光学设置。

应用场景

• 手性光子学：提供高不对称因子手性光源，用于手性光子器件。
• 手性等离激元：利用纳米结构局部手性场增强手性光学响应。
• 手性传感器：产生强圆偏振发光，提高手性分子检测灵敏度。