SiC MOSFET器件

短路应力促恢复

该器件在非破坏性短路应力下，其正负偏置温度不稳定性均可恢复，为功率电子应用中的稳定性抑制提供新途径。

Kaiwei, Li · 孙鹏菊 · Zhiyuan, He · Xu, Huang · Qiang, Li · Lan, Chen · 罗全明 · 杜雄

IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 2024

技术优势

应力后能恢复

非破坏性短路应力下，正负 BTI 均可恢复，提供了一种抑制功率电子中 BTI 的可行方法。

能量越大恢复越强

短路能量越大，BTI 恢复能力越强，可通过调节短路条件控制恢复程度。

正常应力无副作用

正常栅应力下，恢复后的阈值电压不会进一步漂移，因此该方法不影响器件常规工作。

应用场景

• 功率器件可靠性：用于评估和改善 SiC MOSFET 的 BTI 恢复特性，提升长期可靠性。
• 电池管理与集成：提高功率器件在电池管理中的稳定性，减少偏置温度不稳定性退化。
• 功率半导体应用：利用非破坏性短路应力恢复 BTI，为功率半导体提供在线修复方案。