隔离栅离子迁移谱

离子峰强提9倍

在放电针下游加装隔离栅,校正离子向管壁偏移,让离子聚焦在轴线上,同时提高信噪比与分辨率。

Li, Yang Yang · Lei, Xia · Sessa M. · Zhang, Qiangling · 沈成银 · Huang, Chao Qun · 储焰南

Talanta 2025

参数信息

离子强度
9.3
离子强度
3.5
分辨率
21 %

技术优势

离子不再贴壁

隔离栅隔断不均匀电场穿透,校正离子向管壁的偏移,使离子聚焦在IMS管轴线上。

灵敏度大幅提高

隔离栅位于放电针下游2 mm时,离子强度是无隔离栅时的9.3倍。

分辨率同步提升

隔离栅置于6 mm处时,反应离子信号强度提升3.5倍,同时分辨率提升21%。

应用场景