微半球谐振器

Q值419万

通过7纳米超薄金属化降低薄膜阻尼,在不牺牲导电性的前提下将Q因子提升至419万。

Zhu, Feng · Mengxue, Li · 吴学忠 · Sun, Jiangkun · Lu, Kun · 肖定邦 · 士研 · Xi, Xiang

Journal of Microelectromechanical Systems 2025

参数信息

Q因子
4190000
薄膜厚度
7 nm
电阻
500 Ω

技术优势

阻尼降低了

通过3D掩膜调控薄膜厚度分布,避免不必要的金属沉积,从而减少能量耗散。

导电性没牺牲

7 nm Pt薄膜电阻 ≤500Ω,满足低电阻要求。

工艺可重复

基于3D掩膜的金属化工艺精确可控,已在实验中验证,适用于批量制造。

应用场景