F23级压控振荡器
低相噪宽调谐
采用非线性电容变换技术,同时实现低相位噪声与41.2%的宽调谐范围。
Shan, Xiaoyu · 刘冬生 · Hu, Ang · Jin, Zirui · Lu, Jiahao · Hao, Li · Jinsong, Cui · 邹雪城
Microelectronics Journal 2024
参数信息
- 调谐范围
- 41.2 %
- 相位噪声@1MHz
- -136.4 dBc/Hz
- 相位噪声@1MHz
- -129.6 dBc/Hz
- 相位噪声@10MHz(最小值)
- -157.2 dBc/Hz
- 品质因数
- 194.1 dBc/Hz
- 综合品质因数
- 206.4 dBc/Hz
- 功耗
- 13.8 mW
- 功耗
- 14.9 mW
技术优势
相噪不会被开关电容拖累
提出的非线性电容变换技术抑制了非线性电容贡献的相位噪声,原理上消除了开关电容带来的相噪恶化。
全频段都能保持低相噪
采用非对称翻转方法在整个频率范围内实现最佳电容比,避免窄带优化导致的带边性能下降。
应用场景
- 5G通信:用作5G收发机频率合成器,兼顾低相噪与宽覆盖。
- 物联网设备:借助低功耗与多频段能力,适配物联网多协议射频本振。
- 射频前端:简化射频前端频率规划,减少本振数量。