双吡啶桥联钴基c-MOF

中性高电流密度

双吡啶桥联扩大层间距，完全暴露内部活性位点并调控钴电子结构，在中性条件下以工业级电流密度稳定合成过氧化氢。

Jia, Jingjing · 李隽 · Sang, Zhiyuan · Zhenxin, Li · 李霞 · 尹利长 · 刘家臣 · 侯峰 · 梁骥

Angewandte Chemie - International Edition 2026

具体参数

电流密度

{'zh': '300', 'en': '300'} mA cm⁻²

法拉第效率

{'zh': '90', 'en': '90'} %

技术优势

高电流密度下稳定

双吡啶桥联扩大层间距，使内部活性位点充分暴露，从而在 300 mA cm⁻² 下维持稳定 H₂O₂ 产率。

产物可直接净化水

生产的 H₂O₂ 溶液经证实可用于水净化和消毒，省去额外纯化步骤。

轴向配位优化活性

双吡啶配体为 CoN₄ 和 Co₂O₈ 位点提供了额外的轴向氮配位，精细调控 Co 中心的电子性质并优化催化活性。

应用场景

• 氧还原反应电催化剂：用于 2e⁻ ORR 反应，高效生产 H₂O₂。
• 过氧化氢生产：在中性条件下以工业级电流密度电合成 H₂O₂。
• 水处理催化剂：产出的 H₂O₂ 溶液可直接用于水净化和消毒。
• 导电金属有机框架：双吡啶桥联扩大层间距，暴露内部活性位点。