氮空位g-C₃N₄/Nb₂C异质结

电致发光增强6倍

氮空位与肖特基结协同提升电化学发光强度并抑制电极钝化,可用于高灵敏传感。

Aiye, Lu · 蒋鼎 · Liyun, Pan · Du, Xiaojiao · Shan, Xueling · 王文昌 · Shiigi, Hiroshi · Wei, Zhang · 陈智栋

Chemical Engineering Journal 2025

参数信息

电化学发光强度增强倍数
6
检测限
2.37×10⁻¹⁷ mol/L
线性范围下限
10 aM
线性范围上限
1 nM

技术优势

发光增强6倍

氮空位降低电荷迁移势垒,促进载流子传输,从而显著增强电化学发光强度。

抗钝化

氮空位作为电子陷阱,肖特基结捕获多余电子,双重机制动态抑制电极钝化,提高稳定性。

检测限极低

基于该复合材料构建的适体传感器检测限达到2.37×10⁻¹⁷ mol/L,线性范围跨越5个数量级。

应用场景