压应变传输性能提升一个数量级
可通过厚度与双轴应变调控带隙及载流子传输，为设计高性能氮化物异质结器件提供依据。
Lei, Qianjin · 楼海君 · 朱林利
Applied Physics A: Materials Science and Processing 2025
只需改变异质结厚度，就能实现从半导体到金属的带隙调控，覆盖不同器件对能带结构的要求。
-8%压应变下，传输性能提升一个数量级，为通过应力工程提高器件电导率提供了途径。
即使整体发生半导体-金属转变，各原子层在态密度中仍保持至少0.3 eV的带隙，说明二维电子气形成时不会完全关闭局域能隙。